哈尔滨工业大学徐小川团队联合鹏城实验室、上海科技大学等单位，在国际期刊《Laser & Photonics Reviews》发表研究成果，题为“Construction of Bound States in the Continuum in Evanescent Field for On-Chip Diffraction Engineering”。研究院段嘉楠、何枫参与了该项工作。

团队首次提出并实验验证了一种利用倏逝场中的准连续域束缚态（qBIC）构建导波—辐射接口工具集的方法，实现了对辐射通道的可控切换。为验证该方法的性能，团队将其应用于光栅结构，并通过一个 128 通道光学相控阵（OPA）展示了其潜力，实现了增强的衍射控制与更优的远场光束质量。该方法显著优于传统光栅技术，为先进光子集成提供了极具前景的新途径。

首次将准连续域束缚态（qBIC）引入倏逝场，构建片上衍射工程新工具集。实现 128 通道光学相控阵（OPA），获得更优的远场光束质量与衍射控制。为片上光子集成提供新途径，在光束扫描、激光雷达等场景具有应用前景。